Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-24255
Titel: Sol-gel deposited Sb-doped tin oxide films
VerfasserIn: Guglielmi, M.
Menegazzo, E.
Paolizzi, M.
Gasparro, Guido
Ganz, Dietmar
Pütz, Jörg
Aegerter, Michel A.
Pascual, c.
Durán, Alicia
Hubert-Pfalzgraf, L.
Willems, H. X.
Van Bommel, M.
Büttgenbach, L.
Costa, L.
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1998
Quelle: Journal of sol-gel science and technology. - 13. 1998, S. 679-683
Kontrollierte Schlagwörter: Antimon
Zinn
Oxide
Ringversuch
Reflexion <Physik>
Reflektometrie
Korngrenze
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumenttyp: Journalartikel / Zeitschriftenartikel
Abstract: The structural, electrical and optical properties of single sol-gel derived antimony-doped tin oxide (ATO) films sintered at 550°C have been measured. The reproducibility of both the preparation and the characterization procedures have been tested by a round-robin test involving eight laboratories within a Concerted European Action (CEA) project. The resistivity measured as a function of Sb content has been obtained by electric and reflectance and transmission measurements. Their differences are discussed in terms of structural and grain boundary effects. An increase of Sb content results in a decrease of the crystallite size (7.0 to 5.4 nm) and a greater influence of the grain boundary.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-24954
hdl:20.500.11880/24311
http://dx.doi.org/10.22028/D291-24255
Datum des Eintrags: 12-Dez-2009
Fakultät: SE - Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Sammlung:INM
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