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doi:10.22028/D291-24144
Titel: | Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon |
VerfasserIn: | Tada, Masato Ohsaki, Hisashi Aegerter, Michel A. |
Sprache: | Englisch |
Erscheinungsjahr: | 1990 |
Quelle: | Journal of non-crystalline solids. - 120.1990, S. 275-282 |
Kontrollierte Schlagwörter: | Oberfläche Oxide |
DDC-Sachgruppe: | 500 Naturwissenschaften |
Dokumenttyp: | Journalartikel / Zeitschriftenartikel |
Abstract: | Evaporated amorphous silicon (a-Si) films, oxidized in air or O2 at room temperature, present two native oxides with different structures. The surface oxide is constructed from SiO4-tetrahedron structural units with a 110° O-Si-O angle, which is the common structural unit of stable silicon oxides. The internal oxide has a different structure having a 120° O-Si-O angle. The results of molecular orbital (MO) calculations for (SiO3)m− and (SiO4)n− anionic clusters support the presence of the two stable structures of silicon oxides and also reveal the importance of the ionic character of the oxidized sites. |
Link zu diesem Datensatz: | urn:nbn:de:bsz:291-scidok-23008 hdl:20.500.11880/24200 http://dx.doi.org/10.22028/D291-24144 |
Datum des Eintrags: | 14-Aug-2009 |
Fakultät: | SE - Sonstige Einrichtungen |
Fachrichtung: | SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien |
Sammlung: | INM SciDok - Der Wissenschaftsserver der Universität des Saarlandes |
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