Bitte benutzen Sie diese Referenz, um auf diese Ressource zu verweisen: doi:10.22028/D291-23837
Titel: Detailed study of electromigration induced damage in Al and AlCuSi interconnects
VerfasserIn: Möckl, U. E.
Bauer, M.
Kraft, Oliver
Sanchez, J. E.
Arzt, Eduard
Sprache: Englisch
Erscheinungsjahr: 1994
Quelle: Materials reliability in microelectronics IV : symposium held April 5 - 8, 1994, San Francisco, California, U.S.A. ... / Ed.: Peter Børgesen ... - Pittsburgh, Pa. : Materials Research Soc., 1994. - (Materials Research Society symposium proceedings ; 338), S. 373-378
Kontrollierte Schlagwörter: Oberflächenschaden
Elektromigration
Studie
DDC-Sachgruppe: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Dokumenttyp: Konferenzbeitrag (in einem Konferenzband / InProceedings erschienener Beitrag)
Abstract: Because of the continuing miniaturization, electromigration (EM) phenomena are still a key issue in reliability of VLSI metallizations. The present study of EM induced voiding and hillocking was performed on unpassivated conductor lines with various widths and current densities. Stressed and unstressed interconnects were carefully exymined with SEM and TEM techniques, espcially with regard to void densities, void sizes and characterisitic lengths between void and hillock. The fatal void shape was related to current density and line width indicating that the failure mechanism changes with decreasing line width and decreasing current density.
Link zu diesem Datensatz: urn:nbn:de:bsz:291-scidok-17952
hdl:20.500.11880/23893
http://dx.doi.org/10.22028/D291-23837
ISBN: 1-558-99238-3
Datum des Eintrags: 4-Dez-2008
Fakultät: SE - Sonstige Einrichtungen
Fachrichtung: SE - INM Leibniz-Institut für Neue Materialien
Sammlung:INM
SciDok - Der Wissenschaftsserver der Universität des Saarlandes

Dateien zu diesem Datensatz:
Datei Beschreibung GrößeFormat 
ea199413.pdf1,82 MBAdobe PDFÖffnen/Anzeigen


Alle Ressourcen in diesem Repository sind urheberrechtlich geschützt.